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科锐宣布量产第二代碳化硅MOSFET器件

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摘要 <正>碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。全新科锐1200VMOSFET器件可提供业界领先的功率密度及转换效率,而每安培成本仅为上一

DOI 2d39rqg7d9/1572567

作者赵佶

机构地区不详

出处《半导体信息》 2013年3期

关键词功率密度转换效率市场领先者系统尺寸太阳能逆变器 FRAUNHOFER

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2013年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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