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《半导体信息》
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2008年5期
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采用天然氧化物提高MOSFET截止频率
采用天然氧化物提高MOSFET截止频率
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摘要
未填写
DOI
ojn2mq5ljr/1563961
作者
陈裕权
机构地区
不详
出处
《半导体信息》
2008年5期
关键词
截止频率
氧化层厚度
相控阵雷达
MOCVD
氧化方法
栅电极
分类
[电子电信][物理电子学]
出版日期
2008年05月15日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
半导体信息
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