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三星耗资35亿美元在美建300mm闪存晶片厂
三星耗资35亿美元在美建300mm闪存晶片厂
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摘要
未填写
DOI
pd5eqmmwd7/1563923
作者
陈裕权
机构地区
不详
出处
《半导体信息》
2007年6期
关键词
闪存芯片
移动装置
存储器芯片
NAND
移动产品
首项
分类
[电子电信][物理电子学]
出版日期
2007年06月16日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
半导体信息
2007年6期
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