生产半导体元件用专用级高纯磷酸的制备

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摘要 制备分析样品的方法:将欲被分析的杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离;分析杂质的方法:将杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离;再对分离的物质进行分析;制备高纯磷酸的方法:从待净化的磷酸中单独沉积出杂质并进行分离;制备半导体元件的方法:用磷酸作处理液,该磷酸的杂质含量(由所含的放射性元素Pb,Bi和Po的浓度确定),不大于10^-3Bq/ml(Bq,贝克勒尔,放射性单位)。
机构地区 不详
出处 《磷酸盐工业》 2004年2期
出版日期 2004年02月12日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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