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《磷酸盐工业》
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2004年2期
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生产半导体元件用专用级高纯磷酸的制备
生产半导体元件用专用级高纯磷酸的制备
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摘要
制备分析样品的方法:将欲被分析的杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离;分析杂质的方法:将杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离;再对分离的物质进行分析;制备高纯磷酸的方法:从待净化的磷酸中单独沉积出杂质并进行分离;制备半导体元件的方法:用磷酸作处理液,该磷酸的杂质含量(由所含的放射性元素Pb,Bi和Po的浓度确定),不大于10^-3Bq/ml(Bq,贝克勒尔,放射性单位)。
DOI
rj8k0397j0/2233410
作者
彭力国
机构地区
不详
出处
《磷酸盐工业》
2004年2期
关键词
半导体
磷酸
制备方法
定量分析法
PH值
分类
[化学工程][无机化工]
出版日期
2004年02月12日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
磷酸盐工业
2004年2期
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